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SiA533EDJ
Vishay Siliconix
N-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8
6
I D = 5.9 A
1.6
1.4
V GS = 1.5 V , I D = 1.5 A
V GS = 1.8 V, 2.5 V, 4.5 V, I D = 4.6 A
V DS = 6 V
1.2
4
V DS = 3 V
1.0
V DS = 9.6 V
2
0. 8
0
0.6
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
100
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.0 8
0.06
0.04
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 4.6 A, 125 °C
I D = 1.5 A, 125 °C
I D = 1.5 A, 25 °C
T J = 150 °C
T J = 25 °C
I D = 4.6 A, 25 °C
1
0.02
0.1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I D = 250 μ A
0.7
15
0.6
0.5
10
0.4
5
0.3
0.2
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Document Number: 65706
S10-0214-Rev. A, 25-Jan-10
P u lse (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
www.vishay.com
5
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